K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF70T Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF55T par Samsung Electro-Mechanics et K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,85 | $1,05 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 5.0 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Process Technology | Full CMOS | CMOS |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | 15 bit (A0-A14) |
| Largeur du bus de données | 8 bit | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |