K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF70T 比較
詳細な並列比較: K6X0808C1D-GF55T メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X0808C1D-BF70T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | DRAM | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.85 | $1.05 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| メモリサイズ | 256 Kbit | 256 Kbit |
| メモリ構成 | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 電源電圧 | 5.0 V | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| Process Technology | Full CMOS | CMOS |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | 15 bit (A0-A14) |
| データバス幅 | 8 bit | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |