K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-BF55 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF70T00 par Samsung Electro-Mechanics et K6X0808C1D-BF55 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Actif
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-BF55
Marque Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $1,85
Type de mémoire SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
Taille de mémoire 256 Kbit 256 Kbit
Organisation de la mémoire 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 55 ns
Interface Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
Tension d'alimentation 5 V 5 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier 28-SOP 28-SOP
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Memory Format — SRAM
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Refresh — Not required (static memory)

Fiches techniques et ressources

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