K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-BF55 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF70T00 от Samsung Electro-Mechanics и K6X0808C1D-BF55 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Активен
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-BF55
Бренд Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Категория DRAM DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,85 $1,85
Тип памяти SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 55 ns
Интерфейс Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
Напряжение питания 5 V 5 V
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус 28-SOP 28-SOP
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
Memory Format — SRAM
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
Refresh — Not required (static memory)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену