K9F2808UOC-PCB0 vs K9F1G08U0B-PCB0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9F2808UOC-PCB0 par Samsung Electronics et K9F1G08U0B-PCB0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9F2808UOC-PCB0 K9F2808UOC-PCB0 - 16M x 8 NAND Flash, 48-TSOP I | Samsung

K9F2808UOC-PCB0 - 16M x 8 NAND Flash, 48-TSOP I | Samsung

K9F2808UOC-PCB0 Nrnd
Samsung Electronics
K9F1G08U0B-PCB0 K9F1G08U0B-PCB0 - 1Gbit SLC NAND Flash 3.3V 48-TSOP | Samsung

K9F1G08U0B-PCB0 - 1Gbit SLC NAND Flash 3.3V 48-TSOP | Samsung

K9F1G08U0B-PCB0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9F2808UOC-PCB0 K9F1G08U0B-PCB0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie NRND Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $2,70
Type de mémoire NAND Flash (SLC, Small-Page) SLC NAND Flash (Non-Volatile)
Memory Density 128 Mbit (16M x 8) —
Organisation de la mémoire 16M x 8 bit —
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Read Access Time 50 ns —
Page Size 528 bytes (512 main + 16 spare) 2 Kbyte + 64 byte spare
Block Size 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) 128 Kbyte + 4 Kbyte spare
Package Options 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA —
I/O Bus Width x8 —
Température de fonctionnement Commercial / Industrial (C, I grade) 0C to +70C (commercial grade)
Command Set Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) —
Status Output R/B# open-drain ready/busy —
Technology Node Samsung 2nd-generation SLC NAND —
Cell Type Single-Level Cell (SLC) —
Programming Model Page program, block erase —
Lead-Free / RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] —
Density — 1 Gbit (128 M x 8 bit) + 32 Mbit spare
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Interface — 8-bit parallel (multiplexed address/data/command)
Page Program Time (typ) — 300 us (max 700 us)
Block Erase Time (typ) — 2 ms (max 3 ms)
Endurance — 100 K program/erase cycles per block
Data Retention — 10 years
Boîtier — 48-pin TSOP-I (Type I), 0.5 mm pitch
Type de montage — Surface Mount
Package Material — Molded plastic (high-quality thermal grade)
Access Time — 25 us (max)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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