K9F2808UOC-PCB0 vs K9F1G08U0B-PCB0 Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9F2808UOC-PCB0 por Samsung Electronics y K9F1G08U0B-PCB0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9F2808UOC-PCB0 K9F2808UOC-PCB0 - 16M x 8 NAND Flash, 48-TSOP I | Samsung

K9F2808UOC-PCB0 - 16M x 8 NAND Flash, 48-TSOP I | Samsung

K9F2808UOC-PCB0 Nrnd
Samsung Electronics
K9F1G08U0B-PCB0 K9F1G08U0B-PCB0 - 1Gbit SLC NAND Flash 3.3V 48-TSOP | Samsung

K9F1G08U0B-PCB0 - 1Gbit SLC NAND Flash 3.3V 48-TSOP | Samsung

K9F1G08U0B-PCB0 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K9F2808UOC-PCB0 K9F1G08U0B-PCB0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $2,70
Tipo de memoria NAND Flash (SLC, Small-Page) SLC NAND Flash (Non-Volatile)
Memory Density 128 Mbit (16M x 8) —
Organización de memoria 16M x 8 bit —
Operating Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Read Access Time 50 ns —
Page Size 528 bytes (512 main + 16 spare) 2 Kbyte + 64 byte spare
Block Size 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) 128 Kbyte + 4 Kbyte spare
Package Options 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA —
I/O Bus Width x8 —
Temperatura de funcionamiento Commercial / Industrial (C, I grade) 0C to +70C (commercial grade)
Command Set Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) —
Status Output R/B# open-drain ready/busy —
Technology Node Samsung 2nd-generation SLC NAND —
Cell Type Single-Level Cell (SLC) —
Programming Model Page program, block erase —
Lead-Free / RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] —
Density — 1 Gbit (128 M x 8 bit) + 32 Mbit spare
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Interfaz — 8-bit parallel (multiplexed address/data/command)
Page Program Time (typ) — 300 us (max 700 us)
Block Erase Time (typ) — 2 ms (max 3 ms)
Endurance — 100 K program/erase cycles per block
Data Retention — 10 years
Encapsulado — 48-pin TSOP-I (Type I), 0.5 mm pitch
Tipo de montaje — Surface Mount
Package Material — Molded plastic (high-quality thermal grade)
Access Time — 25 us (max)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización