K9HUGY8J5B-CCK0 vs K9HUGY8J5B-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9HUGY8J5B-CCK0 par Samsung Electronics et K9HUGY8J5B-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ Actif
Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-BCK0 K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,60 $0,00
Type de mémoire 3D V-NAND TLC Flash NAND Flash (3D V-NAND)
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Density [DATA_NEEDED: density] [DATA_NEEDED: device density]
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Type d'interface [DATA_NEEDED: interface type] —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Package Type [DATA_NEEDED: package type] —
Nombre de broches [DATA_NEEDED: pin count] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Product Family — K9HUG (V-NAND flash)
Cell Type — [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC]
Bus Width — [DATA_NEEDED: x8 or x16]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Interface — [DATA_NEEDED: asynchronous/toggle DDR]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: tR]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: tBERS]
Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Boîtier — [DATA_NEEDED: package code, e.g. FBGA]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis