K9HUGY8J5B-CCK0 vs K9HUGY8J5B-BCK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9HUGY8J5B-CCK0 por Samsung Electronics e K9HUGY8J5B-BCK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ Ativo
Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-BCK0 K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9HUGY8J5B-BCK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-BCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $9,60 $0,00
Tipo de memória 3D V-NAND TLC Flash NAND Flash (3D V-NAND)
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Density [DATA_NEEDED: density] [DATA_NEEDED: device density]
Organização da memória [DATA_NEEDED: organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Tipo de interface [DATA_NEEDED: interface type] —
Tensão de alimentação [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Package Type [DATA_NEEDED: package type] —
Contagem de pinos [DATA_NEEDED: pin count] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: temperature range]
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Product Family — K9HUG (V-NAND flash)
Cell Type — [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC]
Bus Width — [DATA_NEEDED: x8 or x16]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Interface — [DATA_NEEDED: asynchronous/toggle DDR]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: tR]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: tBERS]
Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Encapsulamento — [DATA_NEEDED: package code, e.g. FBGA]

Fichas técnicas e recursos

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