K9KUGY8J7C-CCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9KUGY8J7C-CCK0 par Samsung Electronics et K9IUGY8J7B-CCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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K9KUGY8J7C-CCK0 K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 ✓ Actif
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K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9KUGY8J7C-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1,00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9-Series V-NAND —
Type de mémoire NAND Flash NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Cell Type TLC (Triple-Level Cell) TLC (3 bits per cell)
Technology Samsung V-NAND (3D NAND) —
Density [DATA_NEEDED: total device density] —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: page/block/plane organization] —
Interface [DATA_NEEDED: asynchronous/synchronous toggle interface mode] —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: VCC supply voltage range] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance rating] [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type BGA [DATA_NEEDED: exact package code]
Température de fonctionnement Commercial grade (per -CCK0 suffix); exact range [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Statut RoHS Lead free / RoHS (per Samsung K9-family product pages) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Type d'interface — [DATA_NEEDED: bus interface type]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Largeur du bus de données — [DATA_NEEDED: data bus width]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]

Fiches techniques et ressources

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