K9KUGY8J7C-CCK0 vs K9IUGY8J7B-CCK0 Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9KUGY8J7C-CCK0 por Samsung Electronics y K9IUGY8J7B-CCK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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K9KUGY8J7C-CCK0 K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-CCK0 ✓ Activo
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K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K9KUGY8J7C-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9-Series V-NAND —
Tipo de memoria NAND Flash NAND Flash, 3D V-NAND TLC
Cell Type TLC (Triple-Level Cell) TLC (3 bits per cell)
Technology Samsung V-NAND (3D NAND) —
Density [DATA_NEEDED: total device density] —
Organización de memoria [DATA_NEEDED: page/block/plane organization] —
Interfaz [DATA_NEEDED: asynchronous/synchronous toggle interface mode] —
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: VCC supply voltage range] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance rating] [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type BGA [DATA_NEEDED: exact package code]
Temperatura de funcionamiento Commercial grade (per -CCK0 suffix); exact range [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Estado RoHS Lead free / RoHS (per Samsung K9-family product pages) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 1 Tb (Tera bit)
V-NAND Generation — V6 (6th generation)
Process Node / Layer Count — 4448-128L (128-layer)
Tipo de interfaz — [DATA_NEEDED: bus interface type]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Ancho del bus de datos — [DATA_NEEDED: data bus width]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]

Hojas de datos y recursos

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