M29F160FT55N3E2 vs M29F160FB55N3E2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FT55N3E2 par Micron Technology et M29F160FB55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | M29F160FT55N3E2 | M29F160FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $2,72 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash - Parallel, Asynchronous |
| Memory Organization | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) | — |
| Density | 16777 kbits | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Top Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Temperature Grade | Automotive Grade 3 | — |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Bus Width | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) | — |
| Program/Erase | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) | — |
| Factory Erase State | All bits erased to 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant (E suffix) | ROHS3 Compliant |
| Organisation de la mémoire | — | 1 M x 16 / 2 M x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming Algorithm | — | Embedded byte/word program and erase controller |
| Packaging | — | Tray |
| Lead Free Status | — | Lead Free |