M29F160FT55N3E2 vs M29F160FB55N3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F160FT55N3E2 por Micron Technology e M29F160FB55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F160FT55N3E2 M29F160FB55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $2,72
Tipo de memória NOR Flash NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Tensão de alimentação 5 V —
Interface Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block Bottom Boot Block (FB)
Temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
Encapsulamento 48-TSOP I 48-TSOP I
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
Status RoHS Compliant (E suffix) ROHS3 Compliant
Organização da memória — 1 M x 16 / 2 M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
Packaging — Tray
Lead Free Status — Lead Free

Fichas técnicas e recursos

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