M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55M3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FB55N3E2 par Micron Technology et M29F200FB55M3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Fin de vie
Micron Technology
M29F200FB55M3E2 M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F200FB55N3E2 M29F200FB55M3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Fin de vie Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,45 $0,00
Type de mémoire NOR Flash, Parallel Flash - NOR Memory IC
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2097 kbits (2 Mbit)
Organisation de la mémoire 256K x 8 / 128K x 16 128K x 16 bits
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Interface Parallel, 8/16-bit selectable Parallel
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I 44-SO (SOP44)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray —
Program / Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Marque — Micron Technology Inc.
Programming Voltage — [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage]
Sector Organization — [DATA_NEEDED: sector/erase block organization]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Fiches techniques et ressources

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