M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55M3E2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F200FB55N3E2 제조: Micron Technology 및 M29F200FB55M3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F200FB55N3E2 | M29F200FB55M3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.45 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Parallel | Flash - NOR Memory IC |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2097 kbits (2 Mbit) |
| 메모리 구성 | 256K x 8 / 128K x 16 | 128K x 16 bits |
| Number of Words | 128 K | 128 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| 인터페이스 | Parallel, 8/16-bit selectable | Parallel |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 48-pin TSOP I | 44-SO (SOP44) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC NOR | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Program / Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| 브랜드 | — | Micron Technology Inc. |
| Programming Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] |
| Sector Organization | — | [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |