M29F200FB55N3E2 vs M29F200FB55M3E2 比較
詳細な並列比較: M29F200FB55N3E2 メーカー: Micron Technology および M29F200FB55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29F200FB55N3E2 | M29F200FB55M3E2 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.45 | $0.00 |
| メモリタイプ | NOR Flash, Parallel | Flash - NOR Memory IC |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2097 kbits (2 Mbit) |
| メモリ構成 | 256K x 8 / 128K x 16 | 128K x 16 bits |
| Number of Words | 128 K | 128 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| インターフェース | Parallel, 8/16-bit selectable | Parallel |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| 動作温度 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 48-pin TSOP I | 44-SO (SOP44) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC NOR | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | — |
| Program / Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| ブランド | — | Micron Technology Inc. |
| Programming Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] |
| Sector Organization | — | [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |