M29F800FB55M3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FB55M3F2 par Micron Technology et M29F400FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F800FB55M3F2 M29F400FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,72 $1,51
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Organisation de la mémoire 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 256K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
Interface Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
Boîtier 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP-44)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Taille de mémoire — 4 Mbit
Tension d'alimentation — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Fiches techniques et ressources

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