M29F800FB55M3F2 vs M29F400FT55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F800FB55M3F2 メーカー: Micron Technology および M29F400FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ 生産中
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M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FB55M3F2 M29F400FT55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.72 $1.51
メモリタイプ NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 8389 kbits (8 Mbit) —
メモリ構成 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 256K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
インターフェース Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
パッケージ 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP-44)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
メモリサイズ — 4 Mbit
電源電圧 — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

データシート&リソース

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