M29F800FT55N3E2 vs M29F800FB55M3E2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FT55N3E2 par Micron Technology et M29F800FB55M3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F800FT55N3E2 | M29F800FB55M3E2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,98 | $3,01 |
| Type de mémoire | NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | 8 Mbit (8389 kbits) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I | 44-pin SO (SOP) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant (E suffix, RoHS-compliant package) |
| Organisation de la mémoire | — | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (Auto Grade 125C) |
| Program / Erase | — | Embedded byte/word program and erase controller |
| Number of Words | — | 512 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Standard Packing | — | Tray |
| Family | — | M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash |