M29F800FT55N3E2 vs M29F800FB55N3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FT55N3E2 par Micron Technology et M29F800FB55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F800FT55N3E2 M29F800FB55N3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,98 $3,83
Type de mémoire NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits —
Access Time 55 ns 55 ns
Tension d'alimentation 5 V —
Interface Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Température de fonctionnement -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
Boîtier 48-TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
Statut RoHS Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) Compliant (E suffix)
Taille de mémoire — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Organisation de la mémoire — Bottom boot (B suffix)
Largeur du bus de données — 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Fiches techniques et ressources

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