M29F800FT55N3E2 vs M29F800FB55N3E2 比較
詳細な並列比較: M29F800FT55N3E2 メーカー: Micron Technology および M29F800FB55N3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29F800FT55N3E2 | M29F800FB55N3E2 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | EEPROM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.98 | $3.83 |
| メモリタイプ | NOR Flash | NOR Flash, SLC, Parallel |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 電源電圧 | 5 V | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| 動作温度 | -40C to +125C | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) |
| パッケージ | 48-TSOP I | 48-pin TSOP Type I (N suffix) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount (SMD/SMT) |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant (E suffix) |
| メモリサイズ | — | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) |
| Supply Voltage Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage Max | — | 5.5 V |
| メモリ構成 | — | Bottom boot (B suffix) |
| データバス幅 | — | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) |
| Packing | — | Tray (blank suffix) |
| Programming Operations | — | READ, ERASE, PROGRAM via command set |
| Write Protection | — | Block protection with lockable boot block |
| Status Output | — | RB# (Ready/Busy) |