M29F800FT55N3E2 vs M29F800FB55N3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F800FT55N3E2 por Micron Technology e M29F800FB55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F800FT55N3E2 M29F800FB55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs EEPROM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,98 $3,83
Tipo de memória NOR Flash NOR Flash, SLC, Parallel
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits —
Access Time 55 ns 55 ns
Tensão de alimentação 5 V —
Interface Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Temperatura de operação -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
Encapsulamento 48-TSOP I 48-pin TSOP Type I (N suffix)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
Status RoHS Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) Compliant (E suffix)
Tamanho da memória — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
Organização da memória — Bottom boot (B suffix)
Largura do barramento de dados — 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

Fichas técnicas e recursos

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