M29W160ET70N3F vs M29W160EB80ZA3SE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W160ET70N3F par Micron Technology et M29W160EB80ZA3SE par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Actif
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W160ET70N3F M29W160EB80ZA3SE
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,80 $1,35
Type de mémoire Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Taille de mémoire 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 80 ns
Tension d'alimentation 3 V / 3.3 V 2.7 V to 3.6 V
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable —
Boîtier 48-pin TSOP 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Packaging Tape and Reel Tape & Reel (TR)
Statut RoHS RoHS-compliant package (F option) Pb-free (SE suffix)
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
Interface — Parallel (Byte-wide / Word-wide)
Organisation de la mémoire — 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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