M29W400FT55N3F vs M29F400FB55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W400FT55N3F par Micron Technology et M29F400FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W400FT55N3F M29F400FB55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $2,95
Type de mémoire NOR Flash NOR Flash
Taille de mémoire 4 Mbit —
Interface Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
Organisation de la mémoire 4Mbit, block-organized, top boot block 256K x 16 / 512K x 8
Program/Erase Block erase, word/byte program —
Boîtier 48-TSOP I 48-TSOP I
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5 V
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: retention years]
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Density — 4 Mbit (4194 kbit)
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis