M29W400FT55N3F vs M29F400FB55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W400FT55N3F от Micron Technology и M29F400FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W400FT55N3F | M29F400FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,92 | $2,95 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Размер памяти | 4 Mbit | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Bus Configuration | x8 / x16 (BYTE-selectable) | — |
| Организация памяти | 4Mbit, block-organized, top boot block | 256K x 16 / 512K x 8 |
| Program/Erase | Block erase, word/byte program | — |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 5 V |
| Suspend/Resume | Erase/program suspend and resume | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free build per F2 suffix) |
| Prefix F in MPN | Pb-free package suffix | — |
| Density | — | 4 Mbit (4194 kbit) |
| Boot Block | — | Bottom boot block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Standard Package Quantity | — | 1500 units (Tape & Reel) |
| Active/Standby Current | — | [DATA_NEEDED: active and standby current] |
| Erase/Program Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| VIO Range | — | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] |