M321R4GA3EB2-CWM vs M321R4GA3EB0-CWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M321R4GA3EB2-CWM par Samsung Electronics et M321R4GA3EB0-CWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M321R4GA3EB2-CWM | M321R4GA3EB0-CWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | EEPROM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1 260,00 | $1 489,00 |
| Memory Capacity | 32 GB | — |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM) | DDR5 SDRAM |
| Débit de données | 5600 MT/s (PC5-44800) | 5600 MT/s (PC5-44800) |
| Form Factor | 288-pin RDIMM | 288-pin DIMM |
| Organisation de la mémoire | 2Rx8 (dual rank, x8) | 4Gx72 |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Latence CAS | CL46 | CL46 |
| DRAM Composition | 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components | 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM |
| Ranks | 2 | — |
| Error Correction | On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC | — |
| DRAM Die | E-die (12nm-class process) | — |
| JEDEC Compliance | JEDEC PC5-44800R compliant | — |
| Module Supply | 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail) | — |
| Compatible Platforms | Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Peak Bandwidth | Approx. 44.8 GB/s per module | — |
| Capacity | — | 32 GB |
| Module Type | — | ECC Registered DIMM (RDIMM) |
| Rank Configuration | — | 2Rx8 (Dual Rank) |
| ECC | — | Yes (Registered with ECC) |
| Configuration | — | 1 x 32 GB |
| Bandwidth Class | — | PC5-44800 (44800 MB/s) |
| Application Segment | — | Server / Datacenter |
| Marque | — | Samsung Electronics |
| GTIN / EAN | — | 5715328154490 |