MMBT3904-7-F vs MMBT3904,215 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMBT3904-7-F par Diodes Incorporated et MMBT3904,215 par Nexperia. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MMBT3904-7-F MMBT3904,215
Marque Diodes Incorporated Nexperia
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,04 $0,02
Type de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 40 V 40 V
Tension collecteur-base (Vcbo) 40 V 60 V
Tension émetteur-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 300 mW —
Fréquence de transition (ft) 300 MHz minimum 300 MHz (minimum)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) 200 mV typical @ IC=10 mA 200 mV (typical at IC = 10 mA)
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -65 °C to +150 °C
Boîtier / Format SOT-23-3 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Type MMBT3906-7-F —
RoHS Compliance Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) —
Boîtier — SOT-23 (TO-236AB)
Power Dissipation (Pd) — 250 mW
Noise Figure (NF) — 5 dB (maximum)
Nombre de broches — 3
PNP Complement — MMBT3906
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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