MMBT3904-7-F vs MMBT3904,215 비교

다음의 상세 나란히 비교: MMBT3904-7-F 제조: Diodes Incorporated 및 MMBT3904,215 제조: Nexperia. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MMBT3904-7-F MMBT3904,215
브랜드 Diodes Incorporated Nexperia
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.04 $0.02
트랜지스터 유형 NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 40 V 40 V
컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) 40 V 60 V
이미터-베이스 전압 (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 300 mW —
전이 주파수 (ft) 300 MHz minimum 300 MHz (minimum)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)
컬렉터-이미터 포화 전압 (Vce(sat)) 200 mV typical @ IC=10 mA 200 mV (typical at IC = 10 mA)
동작 온도 범위 -55 C to +150 C -65 °C to +150 °C
패키지 / 케이스 SOT-23-3 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Type MMBT3906-7-F —
RoHS Compliance Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) —
패키지 — SOT-23 (TO-236AB)
Power Dissipation (Pd) — 250 mW
Noise Figure (NF) — 5 dB (maximum)
핀 수 — 3
PNP Complement — MMBT3906
RoHS 상태 — Compliant

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