MMBT3904-7-F vs MMBT3904,215 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMBT3904-7-F por Diodes Incorporated e MMBT3904,215 por Nexperia. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MMBT3904-7-F MMBT3904,215
Marca Diodes Incorporated Nexperia
Categoria Transistors Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,04 $0,02
Tipo de transistor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN
Tensão coletor-emissor (Vceo) 40 V 40 V
Tensão coletor-base (Vcbo) 40 V 60 V
Tensão emissor-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 300 mW —
Frequência de transição (ft) 300 MHz minimum 300 MHz (minimum)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)
Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) 200 mV typical @ IC=10 mA 200 mV (typical at IC = 10 mA)
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -65 °C to +150 °C
Encapsulamento / Caixa SOT-23-3 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Type MMBT3906-7-F —
RoHS Compliance Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) —
Encapsulamento — SOT-23 (TO-236AB)
Power Dissipation (Pd) — 250 mW
Noise Figure (NF) — 5 dB (maximum)
Contagem de pinos — 3
PNP Complement — MMBT3906
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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