MRF6S19200HR5 vs MRFE6S9200HR3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MRF6S19200HR5 par NXP Semiconductors et MRFE6S9200HR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MRF6S19200HR5 | MRFE6S9200HR3 |
|---|---|---|
| Marque | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $89,75 | $52,30 |
| Type de transistor | LDMOS | N-Channel LDMOS (RF Power) |
| Technology | RF Power MOSFET | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 66 V | — |
| Test Voltage (Vds) | 28 V | — |
| Test Current (Ids) | 1.6 A | — |
| Frequency Range | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Power Gain (Typ) | 17.9 dB | — |
| Output Power (Pout) | 56 W (CW) | — |
| Boîtier | NI-780H-2L (ceramic flange) | NI-880H-2L ceramic air-cavity |
| Type de montage | Flange / Screw Mount | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height |
| Operating Mode | Class AB, Class C | Class AB, Class C, Doherty |
| Application | CDMA base station, multicarrier amplifiers | — |
| Input Matching | Internal (broadband) | — |
| Lead Free Status | Yes | Lead Free (per datasheet) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Frequency | — | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 66 V |
| Test Supply Voltage | — | 28 V |
| Test Quiescent Current | — | 1.4 A |
| Output Power (Avg) | — | 58 W (W-CDMA) |
| Power Gain | — | 21 dB at 880 MHz |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 557.27 pF at 28 V |
| Target Application | — | W-CDMA base-station final stage |