MRFG35003NT1 vs MRFG35010NT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFG35003NT1 par NXP Semiconductors et MRFG35010NT1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFG35003NT1 MRFG35003NT1 - 3W, 3.5GHz GaAs PHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NT1 - 3W, 3.5GHz GaAs PHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NT1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRFG35010NT1 MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFG35003NT1 MRFG35010NT1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Transistors MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $12,10 $25,95
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Type de transistor GaAs pHEMT N-channel RF Power FET GaAs pHEMT RF Power FET
Technology Gallium Arsenide Pseudomorphic HEMT —
Frequency Range 1.8 GHz to 3.6 GHz 1.8 GHz to 3.6 GHz
Test Frequency 3.55 GHz —
Rated Drain Voltage (VDS max) 15 V —
Continuous Drain Current 1.3 A —
Output Power (CW, typical) 3 W —
Power Gain (Gpss, min) 11.5 dB at 3.55 GHz —
Test Bias Voltage 12 V —
Test Quiescent Current (IDQ) 55 mA (small-signal); 650 mA (W-CDMA pulsed) —
Operating Class Class AB linear —
Matching Unmatched (external matching network required) —
Boîtier / Format PLD-1.5 (CASE 466-03, Style 1) PLD-1.5 flanged ceramic
Type de montage Surface Mount Chassis-mount / flange-bolt
Maximum Channel Temperature 150 °C —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Part Number — MRFG35010NT1
Drain-Source Voltage Rating (Vds) — 15 V
Continuous Drain Current Rating — 2.9 A
Operating Frequency — 3.55 GHz
Test Voltage — 12 V
Test Current (quiescent) — 180 mA
Associated Power Gain — 10 dB at 3.55 GHz
Output Power — 9 W at 3.55 GHz
Configuration — Unmatched, common source
Class of Operation — Class AB linear
Supplier Device Package — PLD-1.5
Lead Free Status — Lead free (per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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