MRFG35010NT1 vs MRFG35003NT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFG35010NT1 par NXP Semiconductors et MRFG35003NT1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFG35010NT1 MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 - 9W GaAs PHEMT RF Power FET, 3.55 GHz | NXP

MRFG35010NT1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35003NT1 MRFG35003NT1 - 3W, 3.5GHz GaAs PHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NT1 - 3W, 3.5GHz GaAs PHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NT1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFG35010NT1 MRFG35003NT1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs Transistors
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $25,95 $12,10
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFG35010NT1 —
Type de transistor GaAs pHEMT RF Power FET GaAs pHEMT N-channel RF Power FET
Drain-Source Voltage Rating (Vds) 15 V —
Continuous Drain Current Rating 2.9 A —
Operating Frequency 3.55 GHz —
Frequency Range 1.8 GHz to 3.6 GHz 1.8 GHz to 3.6 GHz
Test Voltage 12 V —
Test Current (quiescent) 180 mA —
Associated Power Gain 10 dB at 3.55 GHz —
Output Power 9 W at 3.55 GHz —
Configuration Unmatched, common source —
Class of Operation Class AB linear —
Boîtier / Format PLD-1.5 flanged ceramic PLD-1.5 (CASE 466-03, Style 1)
Supplier Device Package PLD-1.5 —
Type de montage Chassis-mount / flange-bolt Surface Mount
Lead Free Status Lead free (per datasheet) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Technology — Gallium Arsenide Pseudomorphic HEMT
Test Frequency — 3.55 GHz
Rated Drain Voltage (VDS max) — 15 V
Continuous Drain Current — 1.3 A
Output Power (CW, typical) — 3 W
Power Gain (Gpss, min) — 11.5 dB at 3.55 GHz
Test Bias Voltage — 12 V
Test Quiescent Current (IDQ) — 55 mA (small-signal); 650 mA (W-CDMA pulsed)
Operating Class — Class AB linear
Matching — Unmatched (external matching network required)
Maximum Channel Temperature — 150 °C

Fiches techniques et ressources

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