MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MX30LF1G18AC-TI-T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT29F1G08ABAEAWP-IT:E par Micron Technology et MX30LF1G18AC-TI-T par Macronix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MX30LF1G18AC-TI-T
Marque Micron Technology Macronix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,60 $2,34
Taille de mémoire 1 Gbit (128 MB) —
Organisation de la mémoire 128M x 8 128M x 8 bit
Interface Parallel Asynchronous Parallel
Tension d'alimentation 3.3 V —
Access Time 25 ns 20 ns
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 1 K + 64 bytes (data + spare)
Block Size 128 KB —
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance spec]
Data Retention 10 years —
Température de fonctionnement -40C to +85C -40C to +85C (industrial)
Boîtier TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant —
Type de mémoire — Non-volatile NAND Flash (SLC)
Density — 1 Gbit (128 M x 8)
VCC Supply — 2.7 V to 3.6 V
ECC Requirement — 4-bit ECC per 512 bytes
Block Protection — Hardware PT pin, active high at power-on, internal weak pull-down
ONFI Compliance — ONFI 1.0
Compliance — RoHS compliant

Fiches techniques et ressources

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