MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MX30LF1G18AC-TI-T 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 제조: Micron Technology 및 MX30LF1G18AC-TI-T 제조: Macronix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MX30LF1G18AC-TI-T
브랜드 Micron Technology Macronix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.60 $2.34
메모리 크기 1 Gbit (128 MB) —
메모리 구성 128M x 8 128M x 8 bit
인터페이스 Parallel Asynchronous Parallel
공급 전압 3.3 V —
Access Time 25 ns 20 ns
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 1 K + 64 bytes (data + spare)
Block Size 128 KB —
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance spec]
Data Retention 10 years —
동작 온도 -40C to +85C -40C to +85C (industrial)
패키지 TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant —
메모리 유형 — Non-volatile NAND Flash (SLC)
Density — 1 Gbit (128 M x 8)
VCC Supply — 2.7 V to 3.6 V
ECC Requirement — 4-bit ECC per 512 bytes
Block Protection — Hardware PT pin, active high at power-on, internal weak pull-down
ONFI Compliance — ONFI 1.0
Compliance — RoHS compliant

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