MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MX30LF1G18AC-TI-T Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT29F1G08ABAEAWP-IT:E от Micron Technology и MX30LF1G18AC-TI-T от Macronix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ Активен
Macronix
MX30LF1G18AC-TI-T MX30LF1G18AC-TI-T - 1Gbit 3V SLC NAND Flash, TSOP-48 | Macronix

MX30LF1G18AC-TI-T - 1Gbit 3V SLC NAND Flash, TSOP-48 | Macronix

MX30LF1G18AC-TI-T ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MX30LF1G18AC-TI-T
Бренд Micron Technology Macronix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,60 $2,34
Размер памяти 1 Gbit (128 MB) —
Организация памяти 128M x 8 128M x 8 bit
Интерфейс Parallel Asynchronous Parallel
Напряжение питания 3.3 V —
Access Time 25 ns 20 ns
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 1 K + 64 bytes (data + spare)
Block Size 128 KB —
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance spec]
Data Retention 10 years —
Рабочая температура -40C to +85C -40C to +85C (industrial)
Корпус TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant —
Тип памяти — Non-volatile NAND Flash (SLC)
Density — 1 Gbit (128 M x 8)
VCC Supply — 2.7 V to 3.6 V
ECC Requirement — 4-bit ECC per 512 bytes
Block Protection — Hardware PT pin, active high at power-on, internal weak pull-down
ONFI Compliance — ONFI 1.0
Compliance — RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену