MT40A1G8AG-062E vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8AG-062E par Micron Technology et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8AG-062E H5AN4G8NBJR-UHC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $3,18
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 512M x 8
Interface Parallel DDR4 (JEDEC)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier 78-FBGA (7.5 x 11 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Rohs Code: Yes)
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 4 Gbit
Débit de données — 2400 Mbps (PC2400)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Fiches techniques et ressources

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