MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8AG-062E par Micron Technology et H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NCJR-VKC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $28,13
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 1G x 8 —
Interface Parallel Parallel (DDR4)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) 1.6 GHz
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Boîtier 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh period]
Memory Organization — 1G x 8
Débit de données — 2666 Mbps/pin
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Température de fonctionnement — 0C to +85C
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

Fiches techniques et ressources

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