MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A1G8AG-062E от Micron Technology и H5AN8G8NCJR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NCJR-VKC
Бренд Micron Technology SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,10 $28,13
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Размер памяти 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 1G x 8 —
Интерфейс Parallel Parallel (DDR4)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) 1.6 GHz
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Корпус 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Диапазон рабочих температур [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh period]
Memory Organization — 1G x 8
Скорость передачи данных — 2666 Mbps/pin
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Рабочая температура — 0C to +85C
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену