MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NCJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A1G8AG-062E por Micron Technology e H5AN8G8NCJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-VKC H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NCJR-VKC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,10 $28,13
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile)
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit
Organização da memória 1G x 8 —
Interface Parallel Parallel (DDR4)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) 1.6 GHz
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class)
Encapsulamento 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh period]
Memory Organization — 1G x 8
Taxa de dados — 2666 Mbps/pin
Operating Current (typ) — 30 mA
Standby Current (typ) — 3 mA
Temperatura de operação — 0C to +85C
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

Fichas técnicas e recursos

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