MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WC-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8SA-075:E par Micron Technology et K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,30 | $50,85 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8Gbit (1G x 8) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | Yes |
| Data Mask Function | Supported | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Type d'interface | — | Synchronous, parallel |