MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WC-BCTD 比較

詳細な並列比較: MT40A1G8SA-075:E メーカー: Micron Technology および K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ

仕様比較

パラメータ MT40A1G8SA-075:E K4A8G085WC-BCTD
ブランド Micron Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 ラストバイ
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.30 $50.85
メモリタイプ SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8Gbit (1G x 8) —
インターフェース Parallel —
Clock Frequency 1.33 GHz —
データレート 2666 MT/s 2666 Mbps (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
動作温度範囲 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
パッケージ 78-FBGA (7.5x11 mm) 78-ball FBGA (78FBGA)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Write Leveling Supported —
Dynamic On-Chip Termination Supported —
CRC Function Supported Yes
Data Mask Function Supported —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 1G x 8
Ball Pitch — 0.8 mm
動作温度 — 0C to +95C
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
インターフェースタイプ — Synchronous, parallel

データシート&リソース

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