MT40A1G8WE-075E vs K4A8G085WC-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8WE-075E par Micron Technology et K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8WE-075E | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,90 | $6,29 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| Débit de données | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (8x12mm) | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latence CAS | Programmable | 22 (CL22) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Interface | — | POD-12 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |