MT40A1G8WE-075E vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A1G8WE-075E por Micron Technology y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A1G8WE-075E | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $11,90 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (8x12mm) | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latencia CAS | Programmable | 22 (CL22) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Interfaz | — | POD-12 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |