MT40A256M16GE-075E:B vs K4A4G165WE-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology et K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A256M16GE-075E:B | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,95 | $11,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9 x 14 mm) | FBGA-96 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | 0C to +85C |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Interface | — | Parallel, x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Statut RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |