MT40A256M16GE-075E:B vs K4AAG165WB-MCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A256M16GE-075E:B par Micron Technology et K4AAG165WB-MCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A256M16GE-075E:B | K4AAG165WB-MCRC |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,95 | $7,42 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 1G x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Débit de données | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 96FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | 0 C to +85 C |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | Parallel, DDR4 |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| Peak Bandwidth (per device) | — | 19.2 GB/s (estimated: 2400 Mbps x 16 bits / 8) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value per Samsung datasheet speed bin table] |
| Statut RoHS | — | Compliant (per LCSC/JLCPCB listing: FBGA-96 DRAM ROHS) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |