MT40A512M16JY-07EAIT:B vs K4A8G085WC-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology et K4A8G085WC-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16JY-07EAIT:B | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $6,29 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Interface | Parallel | POD-12 |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14) | 78-FBGA |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +105°C (AIT grade) | -40°C to +95°C |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latence CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |