MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E:E par Micron Technology et MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E:E ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16LY-062E:E | MT40A512M16LY-062E AAT:E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $34,99 | $9,20 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Organisation de la mémoire | x16 | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) | 1.6 GHz |
| Débit de données | 3200 MT/s | — |
| Access Time (tRCD/tRP) | 19 ns (per DigiKey listing) | — |
| Voltage - Supply (VDD) | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max | — |
| Voltage - VPP | 2.5 V (typical) | — |
| Interface | Parallel (LVCMOS / SSTL) | Parallel |
| Boîtier / Format | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Cycles | 65536 | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes (data channel) | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes (LPASR) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | 062E |
| Boîtier | — | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package max height] |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Ordering Code Suffix | — | AAT:E (temperature/package option per Micron code) |
| Moisture Packaging | — | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] |
| Data Rate Class | — | DDR4-3200 (062E speed bin) |