MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16JY-075E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075:E par Micron Technology et MT40A512M16JY-075E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,80 | $30,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Débit de données | 2666 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1.33 GHz |
| Latence CAS | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.14V to 1.26V |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |