MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16JY-075E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16LY-075:E от Micron Technology и MT40A512M16JY-075E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16JY-075E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,80 $30,50
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
Скорость передачи данных 2666 MT/s 2666 MT/s
Clock Frequency 1.33 GHz 1.33 GHz
Задержка CAS 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.14V to 1.26V
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Интерфейс Parallel Parallel
Корпус 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-FBGA (8x14)
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
RoHS Compliant —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Организация памяти — 512M x 16
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Статус RoHS — Compliant
Особенности — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену