MT40A512M16TB-062E:J vs NT5AD512M16B4-HR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:J par Micron Technology et NT5AD512M16B4-HR par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Actif
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16TB-062E:J NT5AD512M16B4-HR
Marque Micron Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $43,10
Type de mémoire SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8Gbit (512M x 16) —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball TFBGA
Plage de température de fonctionnement 0°C to 95°C —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Type de montage Surface Mount —
Density — 8Gb
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Tension d'alimentation — 1.2V
Temperature Range — 0°C to +95°C
Débit de données — 3200 Mbps
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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