MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology et K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ ActifSamsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,15 | $2,05 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2666 Mbps/pin |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Type d'interface | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Tension de référence | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| Boîtier | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | 0C to +85C |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | — |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |